Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DRA5114Y0L

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

Üretici: Panasonic
Paket/Kılıf: SC-85
Kategori: Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
Seri / Aile Numarası: DRA5114Y0L

DRA5114Y0L Hakkında

Panasonic DRA5114Y0L, ön beslemeli PNP bipolar transistördür (BJT). Surface mount SC-85 (SMini3) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 150mW güç tüketimi ile çalışır. 100mA kollektör akımı kapasitesine sahip olan transistör, entegre ön yükleme dirençleriyle birlikte gelir (R1: 10kΩ, R2: 47kΩ). 50V VCE(BR)max ile yüksek gerilim uygulamalarına uygundur. Minimum 80 hFE kazancı (5mA, 10V koşullarında) sağlar. Kontrol devrelerinde, sinyal anahtarlamasında ve düşük güçlü ön yükleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 250mV saturation voltajı ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre	Değer
Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	SC-85
Part Status	Market
Power - Max	150 mW
Resistor - Base (R1)	10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Supplier Device Package	SMini3-F2-B
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok