Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRA5114E0L
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
DRA5114E0L Hakkında
DRA5114E0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 150mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. Transistör, entegre emitter-base direnç ağına sahip SMini3-F2-B paketinde sunulmaktadır. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter gerilim değerlendirmesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, sensör arayüzleri ve lojik seviye uyarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. Yüzey montajlı (Surface Mount) SC-85 paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Part Status: Digi-Key'de kullanımdan kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-85 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2-B |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok