Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRA3123Y0L
TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
DRA3123Y0L Hakkında
DRA3123Y0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. SOT-723 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz direnç ağına sahiptir. 100mW maksimum güç dağılımı, 100mA maksimum collector akımı ve 50V collector-emitter bozulma voltajı özellikleriyle düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Dahili 2.2kΩ baz direnci ve 10kΩ emitter-baz direnci sayesinde harici biyaslandırma bileşenlerine gerek duymadan doğrudan lojik devrelerine bağlanabilir. Entegre biyaslandırma dirençleri nedeniyle PCB alanı tasarrufu sağlar. Tüketici elektroniği, IoT cihazları ve gömülü sistem uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SSSMini3-F2-B |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok