Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRA2L14Y0L
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
DRA2L14Y0L Hakkında
Panasonic DRA2L14Y0L, PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 200mW maksimum güç dağıtımı ile tasarlanmıştır. İç entegre dirençleri (10kΩ base, 47kΩ emitter-base) bulunmaktadır. 100mA maksimum kollektör akımına, 30V maksimum VCE (Collector-Emitter) geriliminde çalışabilir. SOT-23-3 (TO-236-3) kompakt yüzey montajı paketidir. Hızlı anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve lojik devreler için uygundur. Düşük seviye sinyal işleme, ön beslemeli yapısı sayesinde dış biyaslandırma dirençlerine ihtiyaç duymayan tasarımlar için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | MINI3-G3-B |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 330µA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok