Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DRA2523Y0L

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Üretici
Panasonic
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DRA2523Y0L

DRA2523Y0L Hakkında

DRA2523Y0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar jonksiyon transistörüdür. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu komponent, 200mW güç dağıtım kapasitesine ve 500mA maksimum kolektör akımına sahiptir. 2.2kΩ taban direnci ve 10kΩ emitör-taban direnci ile entegre olarak gelmektedir. 60 minimum DC akım kazancı (hFE @ 100mA, 10V) ile tasarlanmıştır. Maksimum 50V kolektör-emitör gerilimi, 250mV saturasyon gerilimi ve 1µA kolektör kesme akımı özellikleriyle düşük sinyal uygulamalarında, anahtar devrelerde ve amplifikasyon amaçlarında kullanılır. Surface mount teknolojisini desteklemesi, kompakt tasarım gerektiren uygulamalar için uygun hale getirmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 100mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Market
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package MINI3-G3-B
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok