Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DRA2522J0L

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Üretici
Panasonic
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DRA2522J0L

DRA2522J0L Hakkında

Panasonic DRA2522J0L, 200mW güç derecelendirmesine sahip PNP tipi ön beslemeli bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketi ile sunulan bu komponent, entegre baz direnci (270Ω) ve emitter-baz direnci (5kΩ) içerir. Maksimum 500mA kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter kırılma voltajı özelliğine sahiptir. DC akım kazanç (hFE) 100mA, 10V koşullarında minimum 20 değerindedir. Ön beslemeli yapısı sayesinde ayrı baz biasing devresine gerek duymadan kullanılabilir. Sinyal anahtarlaması, darbe şekillendirme ve düşük güçlü amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Kompakt boyutu nedeniyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında faydalıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Market
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 270 Ohms
Resistor - Emitter Base (R2) 5 kOhms
Supplier Device Package MINI3-G3-B
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok