Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DRA2514E0L

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Üretici
Panasonic
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DRA2514E0L

DRA2514E0L Hakkında

DRA2514E0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir transistördür. 200mW güç kapasitesine sahip bu bileşen, maksimum 500mA collector akımını destekler ve 50V collector-emitter breakdown voltajına dayanır. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu transistör, entegre 10kΩ base ve emitter-base dirençleri içerir. DC current gain değeri 100mA collector akımında 60'tır. Saturasyon voltajı 250mV'dir. Ön beslemeli yapısı sayesinde basit anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında hızlı entegrasyon sağlar. Düşük güç tüketimi gerektiren portatif cihazlar, ses amplifikatörleri ve lojik seviye kontrol devrelerinde kullanılır. Surface mount teknolojisi ile üretilmesi, modern PCB tasarımlarında kompakt çözümler sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 100mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Market
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package MINI3-G3-B
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok