Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRA2152Z0L
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
DRA2152Z0L Hakkında
DRA2152Z0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 200mW güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Dahili 510Ω base direnci ve 5.1kΩ emitter-base direnci sayesinde harici bileşen ihtiyacını azaltır. 100mA maksimum kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi ile sinyal değiştirme, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanır. 20 minimum DC akım kazancı (hFE) ile hassas kontrol gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 510 Ohms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 5.1 kOhms |
| Supplier Device Package | MINI3-G3-B |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok