Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRA2144V0L
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
DRA2144V0L Hakkında
DRA2144V0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar junction transistördür (BJT). 200mW güç derecelendirmesi ile SO-23 (TO-236-3) paketinde sunulan bu komponent, 100mA maksimum kolektör akımı ve 50V VCE(br) açılma gerilimi özelliklerine sahiptir. İntegre 47kΩ baz ve 10kΩ emitör-baz dirençleri ile ön beslemeli yapısı sayesinde ayrı biyaslandırma devrelerine ihtiyaç duymadan kullanılabilir. Minimum 30 hFE DC akım kazancı ve 250mV saturasyon gerilimi ile darbe, anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. MINI3-G3-B paket formatında yüzey montaj teknolojisine uygundir. Not: Bu ürün Digi-Key'de üretim durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | MINI3-G3-B |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok