Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRA2123Y0L
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
DRA2123Y0L Hakkında
DRA2123Y0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paket içinde gelen bu bileşen, maksimum 200mW güç dağılımına sahiptir. 100mA collector akımı ve 50V collector-emitter gerilim değeri ile düşük seviyeli elektronik uygulamalarında kullanılır. Transistör, entegre edilmiş 2.2kΩ base ve 10kΩ emitter-base direnç ağları ile önceden biaslanmıştır. Sinyal komütasyonu, anahtarlama devreleri, ses amplifikasyonu ve kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Vce(sat) 250mV @ 10mA değeri ile iyi anahtarlama karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | MINI3-G3-B |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok