Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DRA2123E0L

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Üretici: Panasonic
Paket/Kılıf: TO-236-3
Kategori: Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
Seri / Aile Numarası: DRA2123E0L

DRA2123E0L Hakkında

Panasonic DRA2123E0L, PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 200mW güç kapasitesi ile 100mA maksimum collector akımını destekler. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, 2.2kΩ base ve emitter-base direnç ile entegre şekilde tasarlanmıştır. 50V collector-emitter kırılma voltajı ile düşük güçlü elektronik devrelerde anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Özellikle portable cihazlar, ses devreleri ve logic kontrol uygulamalarında tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre	Değer
Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	6 @ 5mA, 10V
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status	Market
Power - Max	200 mW
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	2.2 kOhms
Supplier Device Package	MINI3-G3-B
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok