Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRA2115G0L
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
DRA2115G0L Hakkında
DRA2115G0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 200 mW güç kapasitesi ve 100 mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. Entegre 100 kΩ base direnci sayesinde ek bileşenlere ihtiyaç duymadan kullanılabilir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, sinyalleme devreleri, anahtar uygulamaları ve düşük akım anahtarlamada kullanılır. 80 minimum DC akım kazancı ve 250 mV doyma voltajı ile verimli çalışır. 50 V collector-emitter kırılma voltajı orta seviye voltaj uygulamalarında emniyetli işletim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | MINI3-G3-B |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok