Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DRA2115E0L
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
DRA2115E0L Hakkında
DRA2115E0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleri (her biri 100 kOhm) ile hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 100mA kollektör akımı ve 200mW güç derecelendirmesi ile düşük sinyalli anahtarlama, lojik seviye dönüştürme ve sürücü devreleri gibi uygulamalara uygundur. DC akım kazancı (hFE) minimum 80 (Ic=5mA, Vce=10V) olup, doyum voltajı (Vce sat) maksimum 250mV'dir. Kesme kollektör akımı 500nA'dır. İçerideki ön yükleme dirençleri sayesinde harici biyaslandırma gereksinimini azaltır ve devre basitliğini artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | MINI3-G3-B |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok