Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

DRA2113Z0L

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

Üretici
Panasonic
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DRA2113Z0L

DRA2113Z0L Hakkında

DRA2113Z0L, Panasonic tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketi ile sunulan bu bileşen, entegre baz dirençleri (1kΩ ve 10kΩ) ile gelmektedir. Maksimum 200mW güç tüketimi, 100mA kollektor akımı ve 50V çöküntü gerilimi ile işaret işleme, röle kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 30 (min) DC akım kazancı ve 250mV doyum gerilimi sayesinde düşük sinyal amplifikasyonu ve hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. Kompakt boyutu, dahili ön beslemeli tasarımı ve düşük akım gereksinimi nedeniyle portatif cihazlar, sensör arayüzleri ve lojik seviye dönüştürme devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Market
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package MINI3-G3-B
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok