Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

DPLS350E-13

TRANS PNP 50V 3A SOT-223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
DPLS350E

DPLS350E-13 Hakkında

DPLS350E-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-223-3 yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile özellikleri belirlenen bu transistör, 100MHz transition frequency değerine sahiptir. Maksimum 1W güç dağıtabilir ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 300mV maksimum saturation gerilimi ile düşük kayıplar sunar. Genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle düşük güç tüketimi gereken mobil cihazlar, ses sistemleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package SOT-223-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok