Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

DP350T05-7

TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DP350T05

DP350T05-7 Hakkında

DP350T05-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 350V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 300mW maksimum güç dağıtımına sahiptir. 50MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gücü sınırlı ancak voltaj değeri yüksek olan uygulamalar, aydınlatma kontrol devreleri, sinyalleştirme ve küçük güç kaynağı tasarımlarında tercih edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok