Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
DP0150BLP4-7B
TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006H4-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- DP0150BLP4
DP0150BLP4-7B Hakkında
DP0150BLP4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen küçük sinyal PNP bipolar junction transistördür. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 450mW maksimum güç disipasyonu ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş ortam koşullarında kullanılabilir. 80MHz transition frequency ve 200 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle hızlı anahtarlama operasyonları gerçekleştirebilir. 3-pin X2-DFN1006 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, darbe genlikleri modülasyonu ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 450 mW |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok