Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

DP0150ALP4-7B

TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006H4-3

Paket/Kılıf
3-XFDFN
Seri / Aile Numarası
DP0150ALP4

DP0150ALP4-7B Hakkında

DP0150ALP4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount DFN1006H4-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. 80MHz transition frequency ve 120 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle sahiptir. 300mV maksimum saturation voltajı ve 450mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Düşük sinyal amplifikasyon, switching ve logic uygulamalarında kullanılan genel amaçlı transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition 80MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-XFDFN
Part Status Obsolete
Power - Max 450 mW
Supplier Device Package X2-DFN1006-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok