Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

DNBT8105-7

TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
DNBT8105

DNBT8105-7 Hakkında

DNBT8105-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisinde SOT-23-3 paketine sahiptir. 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 150MHz transition frequency ile anahtarlama devrelerinde ve sinyal amplifikasyonunda etkin performans sağlar. -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir işletme imkanı sunar. 600mW maksimum güç tüketimi ve 100 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile endüstriyel kontrol sistemleri, güç yönetimi, motorlar ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 600 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok