Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DN2625DK6-G
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 8-VDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DN2625
DN2625DK6-G Hakkında
DN2625DK6-G, Microchip Technology tarafından üretilen dual N-channel depletion mode MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilim kapasitesi ve 1.1A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 8-VDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 3.5Ω on-dirençi (Rds On) ve düşük kapı yükü (7.04nC) ile karakterize edilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışmaya uygundur. Anahtarlama devreleri, güç kaynağı uygulamaları ve dar alan elektronik tasarımlarında kullanım için önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.04nC @ 1.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1A, 0V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x5) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok