Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
DN0150BLP4-7B
TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- DN0150BLP4
DN0150BLP4-7B Hakkında
DN0150BLP4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük gücü gerekli uygulamalarda kullanılır. 60MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun, 450mW güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. DFN1006H4-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, gürültü hafifleme devreleri, düşük frekanslı sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında stabil çalışma sağlayan kompakt yapısı, taşınabilir elektronik cihazlar ve IoT uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 450 mW |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok