Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
DN0150BLP4-7
TRANS NPN 50V 0.1A X1-DFN1006-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- DN0150BLP4
DN0150BLP4-7 Hakkında
DN0150BLP4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen düşük güçlü NPN bipolar transistördür. 50V maksimum Vce desmit voltajı ile 100mA kollektör akımına kadar çalışabilir. 3-XFDFN kompakt yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, 60MHz transition frequency ve minimum 200 hFE akım kazancı özellikleriyle düşük frekans anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 450mW maksimum güç dağılımı kapasitesiyle sensör sürücüleri, ses amplifikatörleri ve kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Part status obsolete olduğundan, yeni tasarımlarda alternatif bileşen değerlendirmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 450 mW |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok