Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
DN0150ALP4-7B
TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- DN0150ALP4
DN0150ALP4-7B Hakkında
DN0150ALP4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. Surface mount DFN1006H4-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V kolektör-emitör gerilimi ve 100mA kolektör akımı ile çalışabilir. 60MHz transition frequency'ye sahip olan bileşen, düşük güç uygulamalarında (maksimum 450mW) kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 2mA kolektör akımında ve 6V Vce'de minimum 120'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle sinyal işleme ve kontrol uygulamalarında kullanılır. Düşük kolektör cutoff akımı (100nA) ve 250mV satürasyon gerilimi sayesinde verimli komutasyon sağlar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 450 mW |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok