Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
DN0150ALP4-7
TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- DN0150ALP4
DN0150ALP4-7 Hakkında
DN0150ALP4-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 60MHz transition frequency ve 120 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile kontrol ve anahtarlama devrelerinde çalışabilir. DFN1006H4-3 paketinde sunulan bu bileşen yüzey montajı uygulamaları için geliştirilmiştir. 250mV saturation gerilimi ve 450mW maksimum güç derecelendirmesi ile sınırlı güç bütçesine sahip tasarımlarda entegre edilebilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilmektedir. Küçük sinyal amplifikasyon ve dijital mantık uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 450 mW |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok