Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMTH6016LSDQ-13

MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMTH6016LSDQ

DMTH6016LSDQ-13 Hakkında

DMTH6016LSDQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 7.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 19.5mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrol ve DC-DC konverterlerde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile geniş sıcaklık koşullarında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 864pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 1.4W, 1.9W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok