Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMTH6016LPDQ-13
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- DMTH6016LPDQ
DMTH6016LPDQ-13 Hakkında
DMTH6016LPDQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörlerin bir dizisidir. 60V drain-source gerilimi ve 9.2A (Ta) / 33.2A (Tc) sürekli drenaj akımı ile çalışır. 19mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. PowerDI506 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +175°C arasında güvenli çalışma sıcaklık aralığına ve 2.5W (Ta) / 37.5W (Tc) maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Surface mount montajı ile kompakt tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 864pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok