Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMTH6016LPD-13
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- DMTH6016LPD
DMTH6016LPD-13 Hakkında
DMTH6016LPD-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ile tasarlanan bu komponent, surface mount PowerDI506 paketinde sunulmaktadır. 9.2A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 19mOhm on-state direnç (RDS On) özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük gate charge (17nC) sayesinde hızlı anahtarlama gerektiren motor kontrol, güç dönüştürme ve load switching uygulamalarında tercih edilir. 2.5V gate-source eşik voltajı ile TTL/CMOS mantık seviyesi ile doğrudan entegrasyona uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 864pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok