Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMTH6010LPD-13
MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- DMTH6010LPD
DMTH6010LPD-13 Hakkında
DMTH6010LPD-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 13.1A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu bileşen, PowerDI5060-8 paketinde surface mount olarak sunulmaktadır. 11mOhm (@ 20A, 10V) düşük on-resistance değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 40.2nC gate charge ve 2615pF input kapasitansı ile hızlı komütasyon özelliği sağlar. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2615pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok