Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMT6018LDR-7
MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- DMT6018LDR
DMT6018LDR-7 Hakkında
DMT6018LDR-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V BVDSS ile tasarlanan bu bileşen, 8.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. V-DFN3030-8 yüzey montajlı paketlemesi ile küçük alan gerektiren uygulamalara uygundur. 17mOhm (10V, 8.2A) düşük RDS(On) değeri ile güç dağılımını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve genel amaçlı elektronik uygulamalarında kullanılır. 1.9W maksimum güç kapasitesi ve düşük gate charge (13.9nC) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 869pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.9W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 8.2A, 10V |
| Supplier Device Package | V-DFN3030-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok