Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMT47M2LDV-13

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
DMT47M2LDV

DMT47M2LDV-13 Hakkında

DMT47M2LDV-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi (Vdss) ile tasarlanmış olup, PowerDI333 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Çift kanal yapısı sayesinde eşzamanlı anahtarlama işlemleri için uygundur. 11.9A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 10.8mOhm gate-source direnci ile güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlara uygun hale getirmektedir. 2.3V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 891pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power - Max 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerDI3333-8 (Type UXC)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok