Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMT3020LFDB-13

MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
DMT3020LFDB

DMT3020LFDB-13 Hakkında

DMT3020LFDB-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 7.7A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. Maksimum 20mOhm on-state direnci (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. 6-pin UDFN 2020 SMD pakette sunulan bu bileşen, 700mW maksimum güç tüketimine ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. 7nC gate charge ve 393pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 393pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok