Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMT3011LDT-7
MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-VDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMT3011LDT
DMT3011LDT-7 Hakkında
DMT3011LDT-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, V-DFN3030-8 paketinde sunulmaktadır. 20mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +155°C sıcaklık aralığında çalışabilen ve 1.9W maksimum güç tüketimi olan DMT3011LDT-7, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında kullanılır. Surface mount montajı ile kompakt PCB tasarımlarına uygundir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A, 10.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 641pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.9W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | V-DFN3030-8 (Type K) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok