Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMT3009LDT-7
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-VDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- DMT3009LDT
DMT3009LDT-7 Hakkında
DMT3009LDT-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltajı ve 30A sürekli drenaj akımı ile medium güç uygulamalarında kullanılır. V-DFN3030-8 paketinde sunulan bu bileşen, 11.1mOhm (10V, 14.4A) on-state direnç değeri ile verimli anahtarlama operasyonlarına olanak sağlar. 1.2W maksimum güç derecelendirmesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. 20nC gate charge ve 1500pF input capacitance değerleri hızlı kütlesel üretim ve entegre devre tasarımı için uygun parametrelerdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 14.4A, 10V |
| Supplier Device Package | V-DFN3030-8 (Type K) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok