Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMT10H017LPD-13
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- DMT10H017LPD
DMT10H017LPD-13 Hakkında
DMT10H017LPD-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 100V Drain-Source voltajı ve 54.7A kontinü drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 17.4mOhm düşük on-resistance değeri ile ısıl kaybı minimalize eder. PowerDI50 paketlemesi kompakt tasarımlar için uygun olup, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Motor sürücüleri, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve endüstriyel denetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 54.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1986pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.2W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.4mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok