Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMN65D8LDW-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
DMN65D8LDW

DMN65D8LDW-7 Hakkında

DMN65D8LDW-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 180mA sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir. 6 Ohm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-363 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devrelerinde ve düşük voltaj sinyal işlemede kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, kompakt tasarımı nedeniyle yüksek yoğunluklu PCB uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 115mA, 10V
Supplier Device Package SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok