Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN63D8LDWQ-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- DMN63D8LDW
DMN63D8LDWQ-7 Hakkında
DMN63D8LDWQ-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 220mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmış bu bileşen, düşük on-dirençi (2.8Ω @ 10V) sayesinde verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-363 (6-TSSOP) SMD paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (0.87nC) ve input capacitance (22pF) özellikleriyle hızlı komutasyona uygun olan bu dual MOSFET, uydu sistemleri, pil yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.87nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok