Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMN63D1LV-13

MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
DMN63D1LV

DMN63D1LV-13 Hakkında

DMN63D1LV-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 60V drain-source gerilimi ve 550mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 2Ω on-resistance (10V, 500mA şartlarında) ve düşük gate charge (0.392nC @ 4.5V) ile verimli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, yük anahtarlaması ve sinyal multipleksing devreleri gibi düşük güç uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 550mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.392nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 940mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok