Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN63D1LDW-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DMN63D1LDW
DMN63D1LDW-7 Hakkında
DMN63D1LDW-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 250mA sürekli drenaj akımı ile çalışır. SOT-23-3 (SC-59) yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, düşük gate charge (0.3nC @ 4.5V) ve düşük RDS(on) değerleri (2Ω @ 10V, 500mA) ile karakterizedir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, ses/video ekipmanlarında ve taşınabilir elektronik cihazlarda kullanılır. Düşük güç tüketimi gerektiren kıçık sinyal anahtarlama ve kontrol devrelerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 310mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok