Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN63D1LDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DMN63D1LDW
DMN63D1LDW-13 Hakkında
DMN63D1LDW-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 250mA sürekli drenaj akımı ile karakterize edilir. SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 2Ω on-state resistance değeriyle (10V gate voltajında) düşük güç kayıpları sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) ve 310mW maksimum güç dissipation kapasitesi ile tasarlanmıştır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı kontrol sistemlerinde kullanılır. Düşük gate charge (0.3nC) ve düşük input capacitance (30pF) hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. Surface mount teknolojisiyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 310mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok