Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN61D9UDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- DMN61D9UDW
DMN61D9UDW-13 Hakkında
DMN61D9UDW-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj değeri ve 350mA sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlevi görmek üzere tasarlanmıştır. 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. SOT-363 (6-TSSOP, SC-88) paketinde sunulan bu komponent, analog ve dijital devrelerde sinyal kontrol, load switching ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 320mW maksimum güç dağıtabilen bu dual yapı, kompakt tasarımlar için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28.5pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 320mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 50mA, 5V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok