Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN61D8LVTQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- DMN61D8LVTQ
DMN61D8LVTQ-13 Hakkında
DMN61D8LVTQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source voltajına ve 630mA sürekli drain akımına sahip olup, logic level gate özelliğiyle 5V sürücü devreleriyle doğrudan çalışabilir. SOT-23-6 paketinde sunulan bu komponent, 1.8Ω RDS(on) değeriyle verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunmakta olup, güç yönetimi, LED sürücüleri, solenoid kontrol ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük kapasitans ve minimal gate charge özellikleri, hızlı komütasyon gerektiren devrelerde avantaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 630mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12.9pF @ 12V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 820mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 150mA, 5V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok