Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN61D8LVT-13
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- DMN61D8LVT
DMN61D8LVT-13 Hakkında
DMN61D8LVT-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim aralığında çalışabilir ve maksimum 630mA sürekli dren akımı sağlayabilir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilimli kontrol sinyalleriyle (5V) kullanılabilir. 1.8Ω on-resistance değeri ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. SOT-23-6 paketlemesi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı, düşük güçlü anahtarlama uygulamaları, sürücü devreler, akım kontrolü ve motor kontrolü gibi işlemler için uygundur. Maksimum 820mW güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için idealdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 630mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12.9pF @ 12V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 820mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 150mA, 5V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok