Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN6066SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- DMN6066SSD
DMN6066SSD-13 Hakkında
DMN6066SSD-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen 60V/3.3A kapasiteli dual N-Channel MOSFET'tir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltajlı kontrollerle direkt olarak uygulanabilir. 8-SO yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, 66mΩ maksimum on-direnci ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bileşen, power management, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Düşük gate charge karakteristiği (10.3nC @ 10V) hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 502pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok