Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMN6022SSD-13

MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
DMN6022SSD

DMN6022SSD-13 Hakkında

DMN6022SSD-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 60V drenaj-kaynak gerilimi ve 6A (Ta) / 14A (Tc) sürekli drenaj akımı özelliklerine sahiptir. RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 5A akımda 29mΩ olarak belirtilmiştir. Gate eşik gerilimi maksimum 3V'tur. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleeri, motor kontrolü ve gerilim dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. 32nC maksimum gate yükü ve 2110pF giriş kapasitansı hızlı komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta), 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2110pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok