Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN53D0LDW-13
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- DMN53D0LDW
DMN53D0LDW-13 Hakkında
DMN53D0LDW-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. Logic level gate özelliğine sahip bu entegre, 50V drain-source voltaj ile 360mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 1.6Ω on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-363 (6-TSSOP) paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Yüksek hız anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı anahtarlama işlemleri başta olmak üzere çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. 310mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 360mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 310mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok