Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN33D8LDW-13
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- DMN33D8LDW
DMN33D8LDW-13 Hakkında
DMN33D8LDW-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim derecelendirmesi ve 250mA sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 2.4Ω on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount SOT-363 paketinde sunulan bu bileşen, 350mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel uygulamalarda, LED sürücüleri, güç yönetimi ve kontrol devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 48pF @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok