Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN3270UVT-13
MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- DMN3270UVT
DMN3270UVT-13 Hakkında
DMN3270UVT-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. BVDSS değeri 30V olan bu bileşen, 1.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 yüzey montajlı paket ile sağlanan transistör, 270mOhm (4.5V, 650mA) on-resistance karakteristiğine ve 3.07nC gate charge'a sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu dual MOSFET, switching uygulamaları, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve düşük voltaj kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 760mW maksimum güç dissipasyonu ile hafif yük kontrol uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.07nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 161pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 760mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 650mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok