Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

DMN3190LDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
DMN3190LDW

DMN3190LDW-7 Hakkında

DMN3190LDW-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim derecelendirilmesi ve 1A sürekli Drain akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleri ile işletilir. 190mΩ (10V, 1.3A'de) On-Resistance değeri ile verimli güç iletimi sağlar. 6-TSSOP (SOT-363) yüzey montaj paketi, kompakt tasarımların gerektirdiği uygulamalarda tercih edilir. LED sürücüleri, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve düşük güç inverterlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 320mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok