Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN3190LDW-13
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- DMN3190
DMN3190LDW-13 Hakkında
DMN3190LDW-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 1A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic level gate girişi sayesinde düşük voltajlı kontrol devrelerinden direkt sürülebilir. 190mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount SOT-363 (6-TSSOP) paketi ile kompakt tasarımlara uygun. Ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve analog anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 320mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok