Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
DMN3061SVT-13
MOSFET 25V~30V TSOT26
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- DMN3061SVT
DMN3061SVT-13 Hakkında
DMN3061SVT-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 3.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta-güç uygulamalarında kullanılır. TSOT-23-6 yüzey montajlı paket formatında sunulan bu bileşen, düşük 60mOhm on-state direnci (RDS(on)) ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 880mW maksimum güç derecelendirmesi ile kompakt tasarımların gerçekleştirilmesine uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 278pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 880mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TSOT-23 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok